マルチチップ・モジュールにより高いスイッチング周波数で動作、小型・低背インダクタの使用を可能にし、薄型システムを実現
2012年3月23日 – ウルトラブックを含むノートPCなどのアプリケーションではエンドシステムから要求される薄型仕様に応えるため、設計者は電源回路に使用されるインダクタの高さを抑える必要に迫られています。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、ドライバ段とMOSFETを統合し、高スイッチング周波数、大電流向け同期整流DC-DCアプリケーションに最適化した小型パワーステージ・ソリューション、FDMF6708N第2世代XS™ DrMOSファミリを発表しました。FDMF6708NはドライバIC、ハイサイド及びローサイドのパワーMOSFET、ブートストラップ用ショットキーダイオードを放熱特性に優れIntel® DrMOS v4.0に準拠した6x6mm2 PQFN標準パッケージに統合しています。
FDMF6708Nは高スイッチング周波数と高電力密度を実現すると同時に実装面積の50%削減を可能にします。ゼロクロス検出回路は軽負荷時の効率を改善し、バッテリー寿命を延長します。従来のディスクリート・ソリューションと異なり、このデバイスは最新のコントロールFET及びSyncFET™技術を採用すると共に、クリップボンド・パッケージ技術でソース・インダクタンスを低減することにより全負荷時にも高効率を実現します。ディスクリート・ソリューションでは長いレイアウトパターン、高インダクタンス値、多くの外部部品、広い実装面積を必要とし、小型・低背インダクタの使用に必要となる高スイッチング周波数動作では熱損失が悪化します。
FDMF6708Nは6x6mm2のPQFNパッケージで供給され、競合他社の相当品と比べ15Aピーク負荷時で2.5%、30A全負荷時では6%高い効率を実現します。このデバイスは600KHz～1.0MHzのスイッチング周波数で動作するアプリケーションに最適であり、入力電圧20Vにも対応します。従って、より小型で薄いインダクタ及びコンデンサが使用でき、放熱特性の要求を満たしつつ小型ソリューションの実現が可能です。FDMF6708Nはウルトラブックの設計において課題となる放熱性向上、薄型化、省エネ化それぞれの解決に寄与します。
特長と利点
- 1.0MHz以上の周波数でスイッチング動作可能なことから、ソリューション全体のサイズを小さくすることが出来、実装面積の50%削減、更に小型インダクタの使用により薄型システムの実現が可能
- ゼロクロス検出回路（ZCD）により軽負荷時の特性を改善
- Intel DrMOS v4.0に準拠した6x6mm2 PQFN標準パッケージを使用したマルチソース・ソリューション・マルチチップモジュー
- 競合他社の相当品と比べピーク負荷15Aで2.5%、30A全負荷時（Vin=19V、Vout=1V、800KHz）では6%高い効率を実現し、バッテリー寿命の延長に寄与
フェアチャイルドセミコンダクターの第二世代XS DrMOSシリーズが提供する業界先端技術は設計上遭遇する省エネ効果の向上および小型化への課題を解決します。第二世代XS DrMOSデバイスはフェアチャイルドの省エネ効果の高いパワーアナログ、パワーディスクリート、オプトエレクトロニクス製品の一環として電力消費に敏感なアプリケーションでその効果を最大に発揮します。
より詳細な製品情報は下記サイトをご覧下さい:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html
価格：
1.86ドル（1,000個購入時）
入手性：
サンプル出荷中
量産納期：
8-12週間
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6708N.pdf