フェアチャイルドセミコンダクター、サイズ6mm x 6mmで、電力効率94%を実現する 第2世代 XS™ DrMOSを発表

効率、機能、PWMコントローラに応じて
幅広い製品ポートフォリオから最適デバイスの選択が可能

2011年5月26日 – 電源設計に携わるエンジニアにとって、レギュレータに使用するコンポーネントを選ぶ際、高効率、大電流対応、小サイズであることが重要な要素になります。高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、この要求に応えるため、多様なアプリケーションにおける個々の要求にも設計者が満足するような高効率と電力密度を提供する第2世代XS™ DrMOS（ドライバー + MOSFET統合型デバイス）製品ファミリを発表しました。

第2世代XS DrMOS製品は、銅クリップ技術を用いた6mm x 6mm高性能小型PQFNパッケージで提供され、重負荷時（Vin=12V、Vout/Iout=1V/25A）にシステム電力効率91.5%、ピーク時の電力効率では94%をそれぞれ実現します。またスイッチング周波数2MHzで動作し、最大50Aまでの出力電流対応が可能です。

フェアチャイルドのMOSFET、ゲートドライバIC、パッケージ、それぞれの高度な技術を活用することで、第2世代XS DrMOS製品は進化した新機能を加え、より高い電力効率が得られるように最適化されています。これらの特性強化により、ブレードサーバ、高性能ゲーム機マザーボード、高性能ノートパソコン、グラフィック・カード、大電流ポイントオブロード（POL）DC-DCコンバータ等のアプリケーションに最適です。

このファミリ内のデバイスは、インテル^® DrMOS Rev.4.0スペックに準拠し、5Vおよび3.3Vのトライステート入力レベルに対応するとともに市場に流通する多種のPWMコントローラにも適合しています。第2世代XS DrMOS製品はハイサイド、ローサイド双方のMOSFETにシールデッド・ゲート・テクノロジーを用いたPowerTrench^® MOSFETを採用している為リンギングが大きく削減されています。さらに、ローサイドMOSFETにはショットキー・ダイオードが統合されていることで、外部スナバ回路を取り除くことが可能になり、スペースとコストを削減しつつ、全体性能と電力密度の改善に貢献します。また、故障時の過熱状態を防ぐため過熱検知機能も備えています。

第2世代XS DrMOS製品は様々なお客様とアプリケーションの要求に応えることが可能です。

フェアチャイルドセミコンダクターの第2世代XS DrMOSシリーズは、今日のデザインで直面するエネルギー効率と製品サイズの課題を解決するべく、業界をリードするテクノロジーを提供します。第2世代XS DrMOS製品は、消費電力を意識したアプリケーションで省エネ効果を最大限に高めるフェアチャイルドのエネルギー効率の高いパワーアナログ、パワーディスクリート、オプトエレクトロニクス・ソリューションの一部です。

価格：
FDMF6705   2.86ドル（1,000個購入時）
FDMF6705V   2.92ドル（1,000個購入時）
FDMF6706C   3.30ドル（1,000個購入時）
FDMC6707B   3.96ドル（1,000個購入時）

入手性：
サンプル出荷中

量産納期：
8-10週間

データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6705.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6705V.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6706C.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6707B.pdf