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3.3mm x 3.3mm PQFNパッケージで66%に達する省スペース化と、
高性能シリコン技術による超低オン抵抗を実現

電源設計に携わるエンジニアは省エネ基準及び製品システムからの要求により電力密度を犠牲にすることなく電源回路の占有面積を縮小し、更に省エネ効果が得られるソリューションを必要としています。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）はこれらの要求に応える業界トップクラスの電力密度と低導通損失を実現する30V Power 33 MOSFET、FDMC8010を発表しました。

部品点数の削減、基板レイアウトの簡素化を実現する
超小型表面実装パッケージ採用の製品ファミリ

携帯機器設計に携わるエンジニアは信頼性の向上、製造コストの削減を目指す一方、基板レイアウトの簡素化、省スペース設計という課題と日々取り組んでいます。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、このような設計者の課題を解決するためMicroDIPパッケージを採用したこのクラス最薄の1AブリッジダイオードMDBxSシリーズを発表しました。

MDBxS シリーズは携帯機器向けバッテリチャージャまたはACアダプタを始めとして監視カメラを含むPoEデバイスなどスペースが限られたシステム向けに設計され、パッケージの厚みは省スペース設計に有利となる最大1.45mmです。集積デザインと小型パッケージにより従来のディスクリートダイオードによるブリッジ整流方式に比べ、部品点数が削減され、基板スペースでは最大75%の削減になります。製品ファミリには現在、MDB6S （600V）、MDB8S （800V）、およびMDB10S （1000V）の3製品があり、50V～400V製品が開発中です。