技術分野の拡大に多大な貢献をしたと認められ受賞
2013年7月25日 – パワー半導体に関する国際会議である「the 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits (ISPSD) 2013」において、フェアチャイルドセミコンダクター最高技術責任者（CTO）、ダン・キンザーに”ISPSD Contributory Award”が与えられました。
ISPSD Contributory Awardは2001年のISPSD会議において設立され、技術分野の拡大に多大な貢献をしたメンバーに与えられます。25周年記念となる今回のISPSDで、8人がこの名誉ある受賞に選ばれています。そのうちの一人であるダン・キンザーは、パワー半導体分野で世界をリードする国際会議であるISPSDの創設と、その発展に対する20年以上に及ぶ貢献が認められての受賞となりました。
ダン・キンザーは2007年、プロダクト＆テクノロジー部門の上級副社長としてフェアチャイルドセミコンダクターに加わり、その後2010年12月にCTO兼テクノロジー部門上級副社長に任命されました。彼は半導体デバイス、プロセス、及びパッケージそれぞれの技術開発をリードする責務を担っており、さらに技術戦略、スタッフィングを含めた技術開発、そして技術的視点からのビジネスおよび生産戦略を担当する責任者でもあります。また、シリコンカーバイドテクノロジーの開発も指揮しています。
ダン・キンザーは100件を超える米国特許および複数の国際特許を所有し、多数の科学およびビジネス論文の著者でもあります。また、ISPSDのジェネラルチェアマンを務めており、IEEE及びEDSのメンバーでもあります。彼は、1978年プリンストン大学において物理学系エアロスペース＆メカニカルサイエンスを専攻し工学士を取得しています。
ISPSDはパワーデバイスに関する様々な研究開発分野における研究者、エンジニア、科学者そしてスペシャリストのための国際会議で、パワーデバイス及びパワーIC分野での権威ある専門家とともに、パワーエレクトロニクスとその応用分野の研究開発を強力に前進させています。これまでに公表された豊富な技術業績により、ISPSDはパワーデバイス及びパワーIC分野で世界をリードする学会となっており、今年も盛大な会議になることを期待しています。