フェアチャイルドセミコンダクター、大電力誘導過熱(IH)アプリケーションで 高い信頼性と優れたスイッチング特性を提供する Shorted-Anode IGBTを発表

全体のシステムコスト、基板面積、および電力損失の削減に寄与する高圧IGBT

FSJ ShortedAnodeIGBT Jan20132013年1月30日 – IH炊飯器、IHクッキングヒーター、及びインバーター制御の電子レンジなど大電力かつ高周波を利用するIH家電製品は高い効率とシステムの高信頼性を実現する為、より低い導通損失及び優れたスイッチング特性を必要とします。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:雨宮隆久)は、このような課題に取り組む設計者にエネルギー効率とコスト効率の向上を提供するソリューション、高耐圧フィールドストップshorted-anode トレンチIGBTを発表しました。

定格電圧1100V~1400Vの新製品ファミリーは逆導通ダイオードをデバイス内部に形成しソフトスイッチングアプリケーション向けに最適化しています。標準的なNPT(ノンパンチスルー)IGBTテクノロジーから進歩を遂げ、フェアチャイルドのshorted-anodeシリコンテクノロジーは同じ定格のNPTトレンチIGBTと比べ12%以上低い飽和電圧を実現し、更に、この製品ファミリーは競合他社が提供するIGBT製品と比べ20%以上低いテール電流特性を実現します。このような優れた特長により、フェアチャイルドの最新IGBT製品は温度特性の向上、より高い効率、そして低い電力損失の実現を可能にしています。

特長と利点

  • 高速スイッチング周波数範囲: 10 ~50 kHz
  • クラス最小のテール電流によりスイッチング損失が改善(FGA20S140P)
  • 従来のNPTトレンチIGBTと比べ低い飽和電圧
  • 調理器具検出時のノイズ耐性に優れ高い信頼性を提供
  • 安定した高温動作: Tj(max) = 175 oC
  • RoHS対応(鉛フリー リードメッキ)

パッケージ及び価格情報(1,000個購入時)
サンプル供給中 - 納期:受注後8-12 週

3ピンTO-3Pパッケージ:
・1250V FGA20S125P $2.03
・1250V FGA25S125P $2.03
・1300V FGA30S120P $5.25
・1400V FGA20S140P $2.25

3ピンTO-247パッケージ:
・1300V FGH30S130P 3.40ドル

フェアチャイルドセミコンダクターが提供するフィールドストップshorted-anodeトレンチIGBTは今日の設計作業で直面するエネルギー効率とフォームファクターの課題を解決する最高水準のテクノロジーです。これらは消費電力に敏感なアプリケーションで省エネ効果を最大にするフェアチャイルドのエネルギー効率の高いパワーアナログIC、パワーディスクリート、そしてオプトエレクトロニクスソリューションの一部です。

製品の各資料はこちらをご参照ください。
データシート:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20S125P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA25S125P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA30S120P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20S140P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH30S130P.pdf