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超低オン抵抗(RDS(ON))のP-ch MOSFETを発表

1mm x 1.5mm WL-CSPパッケージでご提供

FDZ197PZ
シングル P-ch MOSFET「FDZ197PZ」

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2009年8月4日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、スマートフォン、携帯電話、ネットブック、 医療用またはその他のポータブル機器向けに最適な、より高い電力効率および小型化を可能にするシングルP-ch MOSFET「FDZ197PZ」を発表 しました。この FDZ197PZ は、VGS= -4.5V時、オン抵抗64mΩで、従来のソリューションよりも15%低いオン抵抗を提供します。 これにより電力効率の向上と、1mm x 1.5mmとパッケージが小型のため基板面積を削減することができます。WL-CSPパッケージは、従来の プラスティック・パッケージで提供されるMOSFETと比べ、優れたワット損と伝導損失特性を提供します。また、FDZ197PZは、優れたESD特性(4kV) を提供し、ESD問題からデバイスを保護します。

この P-ch MOSFETには、より小型のパッケージで、より低いオン抵抗(RDS(ON))とより高い負荷電流を可能にする フェアチャイルドの最新  PowerTrench® MOSFETプロセス技術が用いられています。このWL-CSPパッケージは、6 x 300μmの鉛フリー (Pb-free)ソルダーボールで実装するので、他のWL-CSPピン配置に比べ、優れたオン抵抗と熱抵抗を提供します。また、実装時にわずか0.65mm という低さのパッケージを特長としているので、より薄型の設計を容易にします。

FDZ197PZは、最新MOSFETの総合ラインナップの一つで、チャージャー、ロード・スイッチ、DC-DC、およびブースト・アプリケーション向け の小型・薄型・高性能という、MOSFETの業界ニーズにお応えします。

価格: US$ 0.35(1,000個購入時)

製品の各種資料はこちらをご覧ください。

データシート:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ197PZ.pdf

製品・会社情報について(ビデオ):
http://www.fairchildsemi.com/video/index.html

製品情報について(ポッドキャスト):
http://www.fairchildsemi.com/company/media_center/index.html

ブログ:
http://EngineeringConnections.com


フェアチャイルドセミコンダクターについて:

フェアチャイルドセミコンダクター社(NYSE: FCS)は、電力効率の高いパワーアナログおよびパワーディスクリート・ソリューションを ご提供しているグローバルリーダーカンパニーです。フェアチャイルドの最先端のシリコンおよびパッケージ技術、生産体制、そしてコンシューマ、 コミュニケーション、インダストリ、ポータブル機器、コンピューティング、車載などの各システム向けの専門知識は、The Power Franchise® として業界で認識されています。アプリケーションやソリューションベースの半導体サプライヤーであるフェアチャイルドは、総合的なGlobal Power ResourceSMの一環として、オンライン・デザイン・ツールや世界各地の デザインセンターを通してお客様をサポートしています。


お問い合せ:

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン
〒102-0076 東京都千代田区五番町12-1 番町会館6F
TEL. 03-5275-8380(代表)
FAX. 03-5275-8390


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